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Tous les taux de données (DDR) des modules de mémoire doubles se distinguent par deux principaux facteurs: la vitesse, ou en fréquence et le calendrier, ou Access Colonne Strobe (CAS) de latence.
Latence CAS correspond à la quantité de temps qu'il faut pour que les données apparaissent sur les broches du module de mémoire. La basse est la latence CAS, plus le nombre de cycles d'horloge qu'il faut pour lire et écrire dans la mémoire. Un autre facteur important de la latence CAS est rangée accès stroboscopique-to-CAS retard, ce qui affecte la vitesse de synchronisation globale de la mémoire.
RAM DDR avec une latence inférieure CAS peut être changé la fréquence de manière plus efficace dans la plupart des cas. Il peut augmenter les performances de nombreuses applications qui accèdent RAM fréquemment, comme les jeux vidéo graphiquement intenses et de grands programmes de dessin et de conception.
Lors de la construction d'un PC de jeu ou un ordinateur de bureau haute performance, synchronisation de mémoire DDR peut être un facteur important en raison de ses avancées d'overclocking capacités. Toutefois, la latence CAS est une spécification qui ne sera pas question à la plupart des utilisateurs d'ordinateurs. Sauf si vous prévoyez sur-synchronisation, vous ne serez pas besoin de vous soucier de latence CAS.